[发明专利]一种量子阱混合方法有效
| 申请号： | 200910153253.1 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101697341A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 何建军;张欣;彭盛华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01S5/026 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种量子阱混合方法。利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混合，从而改变量子阱区域的能带结构。本发明克服了氩等离子体诱导的量子阱混合技术中，刻蚀作用的负面影响，不会使得量子阱片的表层被轰击变薄甚至刻穿，为工艺带来便利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 混合 方法 | ||
【主权项】：
一种量子阱混合方法，其特征在于：利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混合，从而改变量子阱区域的能带结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910153253.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二氧化碳蚊虫自动捕获装置
- 下一篇：一体式陶瓷金卤灯电弧管的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
