[发明专利]一种ZnO基异质结及其制备方法无效
| 申请号： | 200910152502.5 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101651148A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;潘新花 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/203;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的ZnO基异质结为n-ZnO/p-SnO，在衬底上自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层和p-SnO薄膜层，其中，n-ZnO薄膜层为Zn1-xAlxO或Zn1-xGaxO，0＜x＜0.05。其制备采用的是脉冲激光沉积法，首先制作Al或Ga掺杂的ZnO陶瓷靶以及纯SnO陶瓷靶；然后以Al或Ga掺杂的ZnO陶瓷靶为靶材在衬底上沉积n-ZnO薄膜层，再以SnO陶瓷靶为靶材在n-ZnO薄膜层上沉积p-SnO薄膜层。本发明方法简单，成本低，生长条件易控；制得的n-ZnO/p-SnO异质结可以用作绿光、蓝紫光等发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 基异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO基异质结，其特征在于，在衬底(1)上自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)和p-SnO薄膜层(3)，其中，n-ZnO薄膜层为Zn1-xAlxO或Zn1-xGaxO，0＜x＜0.05。
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