[发明专利]镀铜的高纵横比过孔及其制造方法无效
| 申请号： | 200910150840.5 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101615591A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | F·R·麦克菲力;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及镀铜的高纵横比过孔及其制造方法。本发明提供了改善的高纵横比过孔及其形成技术。在一个方面中，提供了一种制造镀铜的高纵横比过孔的方法。该方法包括以下步骤。在介质层中蚀刻高纵横比过孔。在高纵横比过孔中并在介质层的一个或多个表面之上沉积扩散阻挡层。在扩散阻挡层之上沉积铜层。在铜层之上沉积钌层。用钌层上镀敷的铜填充高纵横比过孔。还提供了通过该方法形成的镀铜的高纵横比过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 镀铜 纵横 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造镀铜的高纵横比过孔的方法，包括以下步骤：在介质层中蚀刻高纵横比过孔；在所述高纵横比过孔中并在所述介质层的一个或多个表面之上沉积扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层之上沉积铜层；在所述铜层之上沉积钌层；以及用在所述钌层上镀敷的铜填充所述高纵横比过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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