[发明专利]真空处理装置无效
| 申请号: | 200910146244.X | 申请日: | 2009-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN101615570A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
| 发明(设计)人: | 佐佐木芳彦;田中善嗣;石田宽 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/677;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种真空处理装置,其在打开盖住容器主体的上部开口部的盖体,将被处理体搬入搬出处理容器时,可以降低混入处理容器内部的水分和颗粒的量。其包括内部具有成为被处理体的基板(S)的载置台(3)的容器主体(21)和盖住该容器主体(21)的上部开口部的盖体(22),当为了将上述基板(S)搬入或者搬出处理容器(20)而在盖体(22)和容器主体(21)之间形成间隙时,在处理容器(20)的外周面,沿周方向设置罩部件(5),以便至少在基板(S)的搬入搬出区域之外的区域覆盖上述间隙。 | ||
| 搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
1、一种真空处理装置,其特征在于,包括:处理容器,其由内部具有被处理体的载置台的容器主体和盖住该容器主体的上部开口部的盖体构成;升降机构,使所述盖体相对于容器主体进行升降,以在所述盖体和容器主体之间形成用于将所述被处理体搬入或者搬出处理容器的间隙;真空排气单元,其用于对所述处理容器内进行真空排气;和罩部件,沿周方向设置于处理容器的外周面,以在为了将所述被处理体搬入或者搬出处理容器而在盖体和容器主体之间形成间隙时,至少在除了被处理体的搬入搬出区域的区域覆盖所述间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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