[发明专利]N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 200910143035.X | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101586253A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 永井诚二;山崎史郎;药师康英;佐藤峻之;岩井真;今井克宏;森勇介;北冈康夫 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及N型III族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型III族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少III族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型III族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过熔剂工艺制造n型III族氮化物基化合物半导体的方法，包括：通过利用熔剂来熔化至少III族元素以制备熔体，对所述熔体供给含氮气体，以及由所述熔体在籽晶上生长n型III族氮化物基化合物半导体晶体，其特征在于：将碳和锗溶解于所述熔体中，并且将锗作为施主引入所述半导体晶体。
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