[发明专利]配线结构及配线结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910141770.7 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728358A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 辰巳宪之;外木达也 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可获得对硅的欧姆接合的同时、抑制元素向硅中的扩散的配线结构及配线结构的制造方法。本发明的配线结构(1a)，其具有硅层(10)、和设置于硅层(10)上的、由添加了镍(Ni)的铜合金构成的衬底层(20)、和设置于衬底层(20)上的铜层(30)，使Ni在包含硅层(10)和衬底层(20)之间的界面在内的区域富集，由此形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种配线结构，其特征在于，其具有硅层、和设置于所述硅层上的由添加了镍(Ni)的铜合金构成的衬底层、和设置于所述衬底层上的铜层，使所述Ni在包含所述硅层和所述衬底层之间的界面在内的区域富集，由此形成具有导电性的扩散阻挡层。
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