[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200910141769.4 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101567392A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 若松贞次;菊池亨;桥本征典;仓田敬臣;浅利伸;斋藤一也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭 放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，在基板上具有包括源区、漏区、沟道区的有源层、栅电极层以及在上述有源层和栅电极层之间所形成的栅绝缘层，其特征在于：上述栅绝缘层包括与上述有源层相接触而形成的第1氧化硅膜和在该第1氧化硅膜与上述栅电极层之间、与上述第1氧化硅膜相接触而形成的氮化硅膜，上述第1氧化硅膜的膜厚为大于等于40nm、小于50nm。
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