[发明专利]对腔体抽真空的方法有效
| 申请号： | 200910136959.7 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101877302A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 林俊德;邱志欣;杨环隆;林玉婷;黄继毅 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C14/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种对半导体制程薄膜沉积腔体抽真空的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体制程薄膜沉积腔体，接着，以低真空泵对半导体制程薄膜沉积腔体进行抽气，再以高真空泵进行第二阶段抽气，此时，以可调节档板挡住晶圆，再以加热器对坩埚中的吸气材料加热以产生蒸气，用以捕捉腔体内残余气体，形成化合物后沉积于档板上，直至达成目标真空度，停止对该吸气材料加热以及打开该可调节档板，以进行下一步制程。 | ||
| 搜索关键词： | 腔体抽 真空 方法 | ||
【主权项】：
一种对半导体制程薄膜沉积腔体抽真空的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体制程薄膜沉积腔体，该半导体制程薄膜沉积腔体连接一低真空泵及一高真空泵以对该半导体制程薄膜沉积腔体进行抽气，该半导体制程薄膜沉积腔体设有一晶圆承载盘以承载数片晶圆，一可调节档板，至少一承载吸气材料的坩埚，及一加热器；以该低真空泵对该半导体制程薄膜沉积腔体进行第一阶段抽气，直到达成一第一预定目标真空度；以该高真空泵进行第二阶段抽气至达成一第二预定目标真空度，此时，该可调节档板挡住该晶圆；继续以该高真空泵进行第三阶段抽气，同时，以该加热器对该吸气材料加热产生蒸气，以捕捉该半导体制程薄膜沉积腔体内的残余气体，直至达成终极目标真空度；关闭对该吸气材料加热的该加热器；以及打开该可调节档板，进行所述晶圆的半导体制程沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
