[发明专利]半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器有效
| 申请号： | 200910136518.7 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101882750A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 卢飞星;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 武汉华工激光工程有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S3/14 | 分类号： | H01S3/14;H01S3/16;H01S3/10;H01S3/101;H01S3/11;H01S3/042;H01S3/081;H01S3/09 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 黄挺 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖高新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器。第一泵浦源LD与第一耦合聚焦系统之间、第二泵浦源LD与第二耦合聚焦系统之间分别通过光纤连接；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统输出的激光分别入射到所述增益介质；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统与增益介质之间分别设有第一折反镜和第二折反镜；第一折反镜的反射光路上设有热透镜补偿全反镜；第二折反镜的反射光路上设有调Q开关和全反镜；增益介质外侧设有第一温度控制装置和第二温度控制装置，分别用于控制与增益介质的a轴垂直的所有表面和与增益介质的c轴垂直的所有表面的温度。本发明的激光器功率大、效率高且发出的光束质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 端面 泵浦高 功率 单模 风冷 激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器，其特征在于，包括第一泵浦源激光二极管LD、第二泵浦源LD、第一耦合聚焦系统、第二耦合聚焦系统以及增益介质，所述第一泵浦源LD与第一耦合聚焦系统之间、第二泵浦源LD与第二耦合聚焦系统之间分别通过光纤连接；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统输出的激光分别从相对的两侧入射到所述增益介质；所述第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统与增益介质之间分别设有第一折反镜和第二折反镜；所述第一折反镜的反射光路上设有热透镜补偿全反镜；所述第二折反镜的反射光路上设有调Q开关和全反镜；所述增益介质外侧设有第一温度控制装置和第二温度控制装置，分别用于控制与增益介质的a轴垂直的所有表面和与增益介质的c轴垂直的所有表面的温度。
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