[发明专利]具有嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构有效
| 申请号： | 200910135472.7 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101572289A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 余振华;陈鼎元;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有一嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构。该发光二极管元件包括一发光二极管结构与一上电极。该发光二极管结构包括多层结构，设置于一包含一有源发光区的基板上。该发光二极管结构的一上层包括一上接合层。该上电极嵌入该上接合层，其中该上电极与该上接合层电性接合。本发明可提供一有效传递电流的电极同时提高光穿透。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 电极 发光二极管 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，包括：一基板；一发光二极管结构，该发光二极管结构为多层结构，其包括一设置于该基板上的有源发光层与一上接合外延层；以及一第一上电极，嵌入该上接合外延层，其中该第一上电极与该上接合外延层电性接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910135472.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗焦虑解抑郁改善睡眠的保健茶
- 下一篇：用于制备二氨基二苯基链烷烃的方法
