[发明专利]显示基板及其制造方法无效
| 申请号: | 200910134076.2 | 申请日: | 2009-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN101853859A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
| 发明(设计)人: | 陈昱丞;王参群;罗婉瑜 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种显示基板及其制造方法,涉及显示基板领域。本发明的显示基板同时具有较高基板透光率和较好像素电极电压稳定性,其包括:至少一个像素;所述像素包括至少一个晶体管、一个存储电容和一个像素电极。所述存储电容包括:设置在所述基板上的第一电容电极;覆盖所述第一电容电极的第一介电层和第二介电层;所述像素电极的部分面积对应所述第一电容电极设置在所述第二介电层上;所述栅极阻抗层和所述第一介电层构成材料相同且所述第一介电层厚度小于所述栅极阻抗层。 | ||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示基板,其特征在于包括至少一个像素;所述像素包括至少一个晶体管、一个存储电容和一个像素电极;所述晶体管包括:设置在所述基板上的栅极;覆盖所述栅极的栅极阻抗层;对应所述栅极位置设置在所述栅极阻抗层上的半导体区块;覆盖所述半导体区块部分面积的蚀刻阻抗区块;设置在所述蚀刻阻抗区块及所述半导体区块上的源极和漏极;所述像素电极连接所述漏极;所述存储电容包括:设置在所述基板上的第一电容电极;覆盖所述第一电容电极的第一介电层和第二介电层;所述像素电极的部分面积对应所述第一电容电极设置在所述第二介电层上;所述栅极阻抗层和所述第一介电层构成材料相同且所述第一介电层厚度小于所述栅极阻抗层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





