[发明专利]半导体装置及半导体装置制造方法有效
| 申请号: | 200910132306.1 | 申请日: | 2009-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN101546793A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明公开了半导体装置及半导体装置制造方法,该半导体装置制造方法包括如下步骤:在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层,所述树脂层未覆盖所述光电二极管的光接收区域;在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽;并且随后,通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具,来模压密封所述光电二极管。在该模压密封步骤中,能够防止用来填充模具的模塑树脂流到光电二极管的光接收区域中。结果,能够防止由于模塑树脂流到光接收区域中而导致的PDIC的感光度的降低。因此,能够提高产率。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体装置制造方法,其包括如下步骤:在含有光电二极管的基板的上表面上形成树脂层;在所述树脂层中形成使所述光电二极管的光接收区域的表面露出的开口;在所述树脂层中形成包围着所述光接收区域的至少一个凹槽;并且随后,通过将所述基板装填至模具中并使用模塑树脂填充所述模具,来模压密封所述光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





