[发明专利]形成双向二极管的方法及其结构无效
申请号: | 200910129901.X | 申请日: | 2009-04-01 |
公开(公告)号: | CN101599489A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | M·杜斯金;S·P·罗;A·萨利赫 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L29/36;H01L21/26;H01L21/329 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦 晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开一种形成双向二极管的方法及其结构。在一个实施方式中,双向二极管结构形成为具有基本上对称的电流-电压特征曲线。 | ||
搜索关键词: | 形成 双向二极管 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种双向二极管结构,包括:第一导电类型的基底,所述基底具有表面;第一二极管,其包括在所述基底的所述表面上形成的第二导电类型的第一掺杂区,所述第一掺杂区具有边缘,所述边缘远离所述基底的所述表面;第二二极管,其包括在所述基底的所述表面上并在所述第一掺杂区内形成的第一导电类型的第二掺杂区,其中所述第二掺杂区具有周边;以及所述第一导电类型的第三掺杂区,所述第三掺杂区在所述基底的所述表面上并在所述第一掺杂区内形成,所述第三掺杂区具有与所述第二掺杂区的所述周边的一部分间隔开第一距离的侧面,并具有设置在离所述第一掺杂区的所述边缘不大于约25微米的所述第三掺杂区的底部边缘,其中所述双向二极管结构的电流-电压特征曲线对于通过所述双向二极管结构在两个方向上流动的电流是基本上对称的,而没有回跳,其中所述电流增加,但所述双向二极管结构两端的电压降减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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