[发明专利]形成双向二极管的方法及其结构无效

专利信息
申请号: 200910129901.X 申请日: 2009-04-01
公开(公告)号: CN101599489A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: M·杜斯金;S·P·罗;A·萨利赫 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/082 分类号: H01L27/082;H01L29/36;H01L21/26;H01L21/329
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦 晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开一种形成双向二极管的方法及其结构。在一个实施方式中,双向二极管结构形成为具有基本上对称的电流-电压特征曲线。
搜索关键词: 形成 双向二极管 方法 及其 结构
【主权项】:
1.一种双向二极管结构,包括:第一导电类型的基底,所述基底具有表面;第一二极管,其包括在所述基底的所述表面上形成的第二导电类型的第一掺杂区,所述第一掺杂区具有边缘,所述边缘远离所述基底的所述表面;第二二极管,其包括在所述基底的所述表面上并在所述第一掺杂区内形成的第一导电类型的第二掺杂区,其中所述第二掺杂区具有周边;以及所述第一导电类型的第三掺杂区,所述第三掺杂区在所述基底的所述表面上并在所述第一掺杂区内形成,所述第三掺杂区具有与所述第二掺杂区的所述周边的一部分间隔开第一距离的侧面,并具有设置在离所述第一掺杂区的所述边缘不大于约25微米的所述第三掺杂区的底部边缘,其中所述双向二极管结构的电流-电压特征曲线对于通过所述双向二极管结构在两个方向上流动的电流是基本上对称的,而没有回跳,其中所述电流增加,但所述双向二极管结构两端的电压降减小。
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