[发明专利]半导体装置中的垂直沟道晶体管及其制造方法

摘要

一种半导体装置中的垂直沟道晶体管及其制造方法。制造半导体装置的垂直沟道晶体管的方法包括：在基板上形成多个有源柱，每个有源柱具有形成在其下部上并围绕该下部的栅电极；在有源柱之上形成第一绝缘层，以填充有源柱之间的间隙区；部分地去除第一绝缘层，以在所有方向上暴露栅电极的周围表面，而不暴露有源柱之间的间隙区中的基板；在剩余的第一绝缘层上形成传导层，以填充有源柱之间的间隙区；以及图案化传导层，以形成在所有方向上围绕并接触栅电极的周围表面的字线。

主权项

1. 一种制造半导体装置的垂直沟道晶体管的方法，该方法包括：在基板上形成多个有源柱，每个所述有源柱具有形成在其下部上并围绕该下部的栅电极；在所述有源柱之上形成第一绝缘层，以填充所述有源柱之间的间隙区；部分地去除所述第一绝缘层，以在所有方向上暴露所述栅电极的周围表面，而不暴露所述有源柱之间的间隙区中的所述基板；在剩余的第一绝缘层上形成传导层，以填充所述有源柱之间的间隙区；以及图案化所述传导层，以形成在所有方向上围绕并接触所述栅电极的周围表面的字线。