[发明专利]非易失性动态随机存取存储设备无效
申请号: | 200910128114.3 | 申请日: | 2004-08-18 |
公开(公告)号: | CN101494084A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 安进弘;洪祥熏;朴荣俊;李相敦;金一旭;裵基铉 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C14/00 | 分类号: | G11C14/00;G11C16/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种用于控制单位单元的非易失性动态随机存取存储器,包括:用于接收外部电压和产生具有各不同电平的多个内部电压的内部电压产生器;用于将多个内部电压的其中之一供应到字线、位线和电容器板线的开关模块;及用于控制开关模块的模式控制器。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 动态 随机存取 存储 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于控制单位单元的非易失性动态随机存取存储器(NVDRAM),包括:用于接收外部电压和产生具有各不同电平的多个内部电压的内部电压产生器;用于将多个内部电压的其中之一供应到字线、位线和电容器板线的开关模块;及用于控制开关模块的模式控制器。
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