[发明专利]高纯度硅的制造方法有效
| 申请号: | 200910127017.2 | 申请日: | 2009-03-10 | 
| 公开(公告)号: | CN101497441A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 | 
| 发明(设计)人: | 大石直明;桥本明 | 申请(专利权)人: | 北京中晶华业科技有限公司;李润源;大石直明 | 
| 主分类号: | C01B33/027 | 分类号: | C01B33/027 | 
| 代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑立明 | 
| 地址: | 100089北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本发明提供一种高纯硅的制造方法。该方法通过反应生成物的完全分离、回收及再利用,实现高纯硅的低成本、大批量生产。具体为:采用温度维持在910~1300℃的容器1、维持在300~400℃的容器2以及维持在0℃以下的容器3,在容器3的出口侧通过废气处理装置与外界气体相连,将容器1、2、3串联结合,从容器1的入口供给纯度为6N的四氯化硅气体、锌蒸气和惰性气体,在1000至1200hPa的压力下维持四氯化硅的化学当量比超过锌的状态进行供给。以此实现系统内没有锌存在的状态,用容器1获得粒状硅,容器2获得熔融状态的副产物氯化锌和微粒硅,容器3以液体状态回收剩余的四氯化硅。容器2的副产物氯化锌在微粒硅回收后,送至水溶液电解,回收锌并再利用。 | ||
| 搜索关键词: | 纯度 制造 方法 | ||
【主权项】:
                1、一种高纯度硅的制造方法,其特征在于,包括:采用具有加热、保温、冷却功能的容器1和容器2、与具有冷却功能且在出口侧具有经废气处理装置与外界气体相连的容器3,按照容器1、2、3的顺序串联结合的系统;其中,使容器1、2、3各自的温度分别维持在910~1300℃、300~400℃、0℃以下,同时从容器1的入口处,使纯度为6N的惰性气体、四氯化硅气体和锌蒸气在1000~1200hPa压力下,并在保持四氯化硅的化学当量比高于锌的状态下,进入容器1,在容器1中使硅固相析出,在容器2中使氯化锌液相凝聚的同时并捕获硅微粒,在容器3中使剩余的四氯化硅液相凝聚并回收,其中,6N中的N表示纯度百分率中9的个数。
            
                    下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
                
                
            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中晶华业科技有限公司;李润源;大石直明,未经北京中晶华业科技有限公司;李润源;大石直明许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910127017.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。





