[发明专利]衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法

摘要

本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

主权项

1. 一种衬底等离子体处理设备，包括：能够在其中维持真空的腔；第一电极，其在所述腔中支撑衬底，其中处理在所述衬底的主表面上进行；对向电极，在所述腔中被设置成面对所述第一电极；第一电源单元，被配置成向所述第一电极施加具有50MHz或更高的预定频率的高频功率；第二电源单元，被配置成以叠加在所述高频功率上的方式向所述第一电极施加预定的DC负脉冲电压；以及控制单元，其以预定的时序控制开启或关闭所述第一电源单元从而引起所述高频功率的断续施加，以及根据开启或关闭所述第一电源单元的所述时序来控制开启或关闭所述第二电源单元从而引起所述DC负脉冲电压的断续施加。