[发明专利]掺氧II-VI族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池无效
| 申请号： | 200910118667.0 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101786608A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王伟明;吴庄;朱忻;杨军;李斌 | 申请（专利权）人： | 朱忻;吴庄;王伟明;杨军;李斌 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 刘丹妮;郭广迅 |
| 地址： | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掺氧II-VI族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池。本发明首次提出并验证了通过对II-VI族半导体材料，如ZnTe、ZnSe或ZnTe1-xSex(0＜x＜1)进行掺氧，可以使其导带分裂为两个或更多能级，从而分别吸收不同的光谱并大大提高其作为半导体材料的光电转化效率。本发明的掺氧II-VI族半导体材料是在120℃～300℃左右，通入压强为1mTorr～1Torr的氧气，和氩气混合形成压强为10Torr～100Torr的工作气体，溅射高纯度II-VI族半导体材料形成，掺氧浓度为1018cm-3～1021cm-3，厚度约为厚度为500纳米～5000纳米。本发明所提供的掺氧II-VI族半导体材料不含有毒物质，其本身材料化学结构稳定、成本低廉、并可在低于200℃的条件下生长在可弯折基底上，可广泛应用于制备太阳能电池、液晶显示屏、薄膜晶体管等。 | ||
| 搜索关键词： | 掺氧 ii vi 半导体材料 薄膜 及其 制备 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种掺氧II-VI族半导体材料，其特征在于，所述材料由II-VI族半导体材料掺氧形成，优选地，所述II-VI族半导体材料选自ZnTe、ZnSe和ZnTe1-xSex，其中0＜x＜1。
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