[发明专利]通过湿法化学沉积制造的场效应晶体管无效
| 申请号： | 200910118588.X | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101515548A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | M·P·J·皮特斯;D·M·d·李尤瓦;F·K·d·泰杰;Y·J·-R·西蒙 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;刘 红 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管以及通过在基板(480)上进行沉积来制造场效应晶体管的方法，该方法包括材料的湿法化学沉积，该材料反应形成半导电的材料。沉积的材料包括镉、锌、铅、锡、铋、锑、铟、铜或汞。该湿法化学沉积可以通过化学浴沉积或喷雾热解完成。不需要真空沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 湿法 化学 沉积 制造 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造场效应晶体管的方法，包括：(i)提供一种溶液，该溶液包括具有半导电属性的材料或一种或多种反应形成具有半导电属性材料的化合物；(ii)加热基板到220～450℃的温度；以及(iii)通过喷雾热解向加热的基板上沉积该溶液的液滴。
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