[发明专利]非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统有效
| 申请号: | 200910118570.X | 申请日: | 2009-03-04 | 
| 公开(公告)号: | CN101533848A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 | 
| 发明(设计)人: | 白寅圭;沈贤准;赵金石;林恩京 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24 | 
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 | 
| 地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统,即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括:多个内部电极,在与衬底的面基本垂直的方向上延伸;多个第一外部电极,与衬底的面基本平行地延伸;以及多个第二外部电极,也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧,而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括:多个可变电阻器,与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。 | ||
| 搜索关键词: | 非易失性存储器 器件 相关 方法 处理 系统 | ||
【主权项】:
                1. 一种非易失性存储器器件,包括:多个内部电极,所述多个内部电极在与衬底的面基本垂直的方向上延伸;多个第一外部电极,所述多个第一外部电极与所述衬底的面基本平行地延伸,其中,每个第一外部电极位于所述内部电极中的相应的一个的第一侧;多个第二外部电极,所述多个第二外部电极与所述衬底的面基本平行地延伸,其中,每个第二外部电极位于所述内部电极中的相应的一个的第二侧;以及多个可变电阻器,其中,每个可变电阻器与所述内部电极中的一个、所述第一外部电极中的一个和所述第二外部电极中的一个接触。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





