[发明专利]二维双周期有序结构阵列及其制备方法无效
申请号: | 200910116843.7 | 申请日: | 2009-05-24 |
公开(公告)号: | CN101891141A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 段国韬;蔡伟平;罗媛媛;吕方景 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | B81B7/04 | 分类号: | B81B7/04;B82B1/00;B81C1/00;B82B3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维双周期有序结构阵列及其制备方法。阵列为导电衬底上置有由微颗粒孔状和纳米孔状的金属构成的有序多孔薄膜,薄膜中的纳米孔位于微颗粒孔中,且呈堆积状,或者纳米孔为单层,且位于微颗粒孔之底表面或之外表面或覆盖于其内外表面,微颗粒孔的孔直径为1800~2200nm,纳米孔的孔直径为180~220nm;方法为先采用一种直径的聚苯乙烯胶体球自组装以及结合溶液浸渍法或电沉积法,得到附于导电衬底上的碗状金属有序孔阵列后,再于其上采用另一种直径的聚苯乙烯胶体进行自组装并结合电沉积法,制得四种结构的二维双周期有序结构阵列。它的产物具有宏观尺度体系的特征,制备方法具有普适性,可由其制得其它导电材料构成的二维双周期有序结构阵列。 | ||
搜索关键词: | 二维 双周 有序 结构 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二维双周期有序结构阵列,包括导电衬底,其特征在于:所述导电衬底上置有有序多孔薄膜,所述有序多孔薄膜由微颗粒孔状和纳米孔状的金属构成;所述纳米孔位于所述微颗粒孔中,且呈堆积状,或者所述纳米孔为单层,且位于所述微颗粒孔之底表面或之外表面或覆盖于微颗粒孔之内外表面;所述微颗粒孔的孔直径为1800~2200nm,所述纳米孔的孔直径为180~220nm。
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