[发明专利]薄膜太阳能电池背电极的制备方法有效
| 申请号: | 200910116084.4 | 申请日: | 2009-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN101527337A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
| 发明(设计)人: | 孙嵩泉;罗毅;彭为报;马磊;崔介东 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 王 琪 |
| 地址: | 233030*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 薄膜太阳能电池背电极的制备方法,为:在导电衬底玻璃的透明导电膜上沉积非晶硅膜或微晶硅膜;将两片导电衬底玻璃以玻璃面相对、非晶硅膜或微晶硅膜朝外的方式放置在立式玻璃基片装载架的宽度方向两侧;利用真空泵组将磁控溅射系统真空至10-5托以下,通入反应气体,打开直流或射频电源,开始启辉;通过常规的自动传动装置,带动玻璃基片装载架在磁控溅射系统内依次连续直线移动,且该系统的镀膜室中至少装有两对铝溅射靶或两对氧化锌溅射靶,处理结束后,两片导电衬底玻璃的非晶硅膜或微晶硅膜上均沉积有铝膜或氧化锌膜。本方法的镀膜效率较高,生产成本较低,更加利于实现大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、薄膜太阳能电池背电极的制备方法,它包括以下工艺步骤:a、采用等离子体增强化学气相沉积法在导电衬底玻璃的透明导电膜上沉积厚度为1000~10000埃的非晶硅膜或微晶硅膜;b、将沉积有非晶硅膜或微晶硅膜的两片导电衬底玻璃以玻璃面相对、非晶硅膜或微晶硅膜朝外的方式放置在立式玻璃基片装载架的宽度方向两侧;c、利用真空泵组将磁控溅射系统真空至10-5托以下,通入反应气体,打开直流或射频电源,开始启辉,反应气体为氩气与氧气的混合气体、氩气中的任意一种;d、通过常规的自动传动装置,带动玻璃基片装载架在磁控溅射系统内依次连续直线移动,且该系统的镀膜室中至少装有两对铝溅射靶或两对氧化锌溅射靶,它们顺着玻璃基片装载架的移动路线方向布置且相对错开排列,处理结束后,两片导电衬底玻璃的非晶硅膜或微晶硅膜上均沉积有铝膜或氧化锌膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





