[发明专利]铌合金半导体激光器无效
| 申请号： | 200910112377.5 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101667712A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 傅高升;林绍义 | 申请（专利权）人： | 福建交通职业技术学院 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/022;H01S5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350007福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌合金半导体激光器，其结构组件由结构件一(1)，发光元件(2)，导线一(3)，外接引线一(4)，结构件二(7)，绝缘套管(8)，外接引线二(9)，外接引线三(10)组成，将发光元件(2)固定在结构件一(1)的位置上，将结构件一(1)固定在结构件二(7)位置上，将外接引线一(4)和外接引线三(10)穿过绝缘套管(8)后固定在结构件二(7)的相应通孔位置，将外接引线二(9)固定在结构件二(7)的相应通孔位置并导电性良好，用导线一(3)将发光元件(2)的负极和外接引线一(4)焊接连接起来。它具有结构简单，体积小，功率大，稳定性好，适用性强，使用方便，价格合理等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.铌合金半导体激光器，其特征在于：结构组件由结构件一(1)，发光元件(2)，导线一(3)，外接引线一(4)，结构件二(7)，绝缘套管(8)，外接引线二(9)，外接引线三(10)组成，将发光元件(2)固定在结构件一(1)的位置上，将结构件一(1)固定在结构件二(7)位置上，将外接引线一(4)和外接引线三(10)穿过绝缘套管(8)后固定在结构件二(7)的相应通孔位置，将外接引线二(9)固定在结构件二(7)的相应通孔位置并导电性良好，用导线一(3)将发光元件(2)的负极和外接引线一(4)焊接连接起来。
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