[发明专利]一种薄膜太阳电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200910108648.X | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101645469A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 刘萍;赖延清 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳电池及其制造方法。该薄膜太阳电池从下到上依次由玻璃基底、钼铜背电极、铜硅锡硫(CSTS)光吸收层、硫化锌(ZnS)缓冲层、氧化锌铝(ZAO)窗口层和镍铝顶电极构成。其中光吸收层是采用溅射硫化法在背电极上沉积0.5～5μm的铜硅锡硫薄膜。本发明避免了稀贵金属和有毒元素的使用，具有结构及制造工艺简单、光电转化效率高且稳定性良好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜太阳电池，从下到上依次由玻璃基底、背电极、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极构成，其特征在于：所述的光吸收层为铜硅锡硫薄膜，其厚度为0.5～5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
