[发明专利]一种应用于硅太阳能电池的镀膜工艺

摘要

本发明公开了一种应用于硅太阳能电池的镀膜工艺，属于晶体硅太阳能电池制造领域，现有工艺产生的氨和氢离子对单晶硅片和表面的膜存在一定的刻蚀作用，此时会对单晶硅片表面产生一定的损伤，本发明先在单晶硅片表面热生长一层SiO2膜，再在SiO2膜的表面镀上一层SixNy膜。由此形成双层减反射膜。可以提高太阳能电池单晶硅片表面的钝化效果，降低太阳能电池单晶硅片表面的载流子复合速率，增加少子寿命，提高太阳能电池的性能。方法简单，易于实现，无污染。可以在常规的晶体硅太阳能电池生产过程中应用。

主权项

一种应用于硅太阳能电池的镀膜工艺，其特征是：先在单晶硅片表面热生长一层SiO2膜，再在SiO2膜的表面镀上一层SixNy膜。