[发明专利]太阳能级硅晶体的制备及提纯方法无效
| 申请号： | 200910098370.2 | 申请日： | 2009-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101545135A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能级硅晶体的制备及提纯方法，其特点是提纯及硅晶体制备过程在晶体提拉炉(采用Czochralski法进行晶体生长的设备)内完成，并且采用石墨材料加工的坩埚作为与硅原料(及其熔化后的熔液)直接接触的容器，其操作过程包括(1)加热使石墨坩埚内的硅原料熔化，在硅熔液温度1500～2000℃，硅熔液表面真空度0～500Pa条件下蒸发杂质；(2)控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，通过籽晶诱导制备硅晶体；(3)石墨坩埚内硅熔液将耗尽时，升温至1600～1850℃，硅熔液表面的真空度控制在0～5Pa，蒸发硅熔液中余下的杂质；(4)降温但保持石墨坩埚内温度800℃以上，向石墨坩埚中加入下一批硅原料；(5)重复步骤(1)～(4)的操作连续生产。本发明方法生产的硅晶体氧含量很低，改善了掺硼硅晶体制作成的太阳能电池的光致衰减性能，也实现了连续生产。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 能级 晶体 制备 提纯 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能级硅晶体的制备及提纯方法，其特征在于，在晶体提拉炉内，采用石墨材料的坩埚作为与硅原料直接接触的容器：(1)加热使石墨坩埚内的硅原料熔化，在硅熔液温度1500～2000℃，硅熔液表面真空度0～500Pa条件下蒸发杂质1小时或以上；(2)控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，通过籽晶诱导制备硅晶体。
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