[发明专利]粗颗粒碳化硅制品一次反应烧成的生产方法无效

专利信息
申请号: 200910097771.6 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101531527A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 方锡成 申请(专利权)人: 方锡成
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/64;C04B35/565
代理公司: 宁波奥凯专利事务所 代理人: 白洪长
地址: 315503浙江省奉化市滕头工*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及粗颗粒碳化硅制品一次反应烧成的生产方法,其要点在于低于600目的粗颗粒碳化硅粉末原料为主料,主料占用比例为75~85%(重量比);添加辅料和催化剂为:石墨粉3~7%,氧化铝粉1~3%,碳黑粉5~7%,酚醛树脂6~8%(辅料重量占25~15%)。其中粗颗粒碳化硅原料是通过常温下的配料,造料,常温压制成型,并经过140~160℃的固化后,直接进入真空炉内以1600~1680℃的温度下,烧结12小时一次烧成,制得高品质高强度的碳化硅制品。制得的产品具有高强度,低气孔率,密度均匀,满足机械密封用料和其它工况条件下使用的碳化硅制品。低能耗,缩短生产周期,降低生产成本。
搜索关键词: 颗粒 碳化硅 制品 一次 反应 烧成 生产 方法
【主权项】:
1、一种粗颗粒碳化硅制品一次反应烧成的生产方法,该方法的特征在于低于600目的粗颗粒碳化硅粉未原料为主料,主料占用比例为75~85%(重量比);添加辅料和催化剂为:石墨粉3~7%,氧化铝粉1~3%,碳黑粉5~7%,酚醛树脂6~8%(辅料重量比占25~15%);其中粗颗粒碳化硅原料是通过常温下的配料,造料,常温压制成型,并经过140~160℃的固化后,直接进入真空炉内以1600~1680℃的温度下,烧结12小时一次烧成,制得高品质高强度的碳化硅制品。
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