[发明专利]小能量试验数据推算碳化硅灭磁电阻满足温度要求的方法有效

专利信息
申请号: 200910096533.3 申请日: 2009-03-05
公开(公告)号: CN101487868A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 竺士章;陈新琪;陈福山;吴跨宇;密君才 申请(专利权)人: 浙江省电力试验研究院;杭州意能电力技术有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01J5/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 代理人: 韩小燕
地址: 310014浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种小能量试验数据推算碳化硅灭磁电阻满足温度要求的方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种用小能量试验数据推算碳化硅灭磁电阻满足温度要求的方法,旨在用最低的成本对碳化硅灭磁电阻容量是否满足最大灭磁能量下的温度要求作出判断,该方法应是方便易行,不用采购特殊设备,却能有效消除大型发电机的安全隐患。本发明所述的方法分为两种具体的判断方法,一种是采用表面最大温升法判断碳化硅灭磁电阻满足最大能量灭磁要求;另一种判断方法是采用表面均温系数判断碳化硅灭磁电阻满足最大能量灭磁要求。本发明可用于发电厂中配置有碳化硅灭磁电阻的大型发电机。
搜索关键词: 能量 试验 数据 推算 碳化硅 磁电 满足 温度 要求 方法
【主权项】:
1、一种小能量试验数据推算碳化硅灭磁电阻满足温度要求的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:1)确认下列已知参数:发电机最严重条件下整套碳化硅灭磁电阻耗散能量Eg、碳化硅灭磁电阻允许的最高温度Tsicmax、最高环境温度Tcircmax、碳化硅灭磁电阻允许最大温升ΔTsicmax=Tsicmax-Tcircmax、配置的灭磁电阻标称能量Esic、灭磁电阻标称能量制造厂保证的均能系数Csic、碳化硅灭磁电阻的组件数n以及组件内并联支路数m;2)尽可能拆除挡住碳化硅灭磁电阻表面影响拍摄工作的挡板;3)按试验要求完成测试电路的连接;4)将发电机调整到空载额定状态;5)确定碳化硅灭磁电阻表面温度每10分钟变化小于1℃后,用热成像仪拍摄碳化硅灭磁电阻冷态时的表面温度,得到各组件的冷态表面温度分布图;6)分磁场断路器灭磁,录制各组件灭磁电阻上的电流和电压波形;7)在碳化硅灭磁电阻表面温度高的那点温度达到最高时用热成像仪拍摄该组件的热态表面温度,得到该组件的热态表面温度分布图,同样方法得到各组件的热态表面温度分布图。
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