[发明专利]单晶硅埚底料中石英的分离工艺无效

专利信息
申请号: 200910096021.7 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN101786627A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 江国庆 申请(专利权)人: 江国庆
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 金华科源专利事务所有限公司 33103 代理人: 毛东明
地址: 324000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于半导体分离技术领域,特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺,原理是根据石英能与氢氟酸进行化学反应生成气态的四氟化硅和水从而把硅料分离出来,方法是:将残留在埚底的硅料连同坩埚一同破碎,成为颗粒状料;然后按照颗粒状料比氢氟酸的重量比为1∶4;氢氟酸比硝酸的重量比为1∶3,按此比例将颗粒料置于耐酸的塑料槽内,再加入氢氟酸和硝酸进行反应,待反应完成后排出反应槽内的液体,终止反应;用中性水冲洗到经处理过的埚底料的pH值达中性为止;将处理过的埚底料烘干后取出。这样得到的就是石英被分离出去的新的埚底料。本发明具有工艺简单、安全性强、操作方便、效果好、投资少,成本低、成品率高等优点。
搜索关键词: 单晶硅 埚底料中 石英 分离 工艺
【主权项】:
一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺,其特征是将埚底料连同坩埚一同破碎,使之成颗粒状料,将颗粒状料置于耐酸的塑料槽内,按颗粒状料比氢氟酸的重量比为1∶4;氢氟酸比硝酸的重量比为1∶3,按此比例加入氢氟酸和硝酸,待反应完成后排放出反应槽内的液体,再用中性水冲洗经处理过的埚底料的PH值达中性为止;最后将冲洗好经处理过的埚底料放置到烘干机上进行烘干,烘干后取出新的埚底料。
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