[发明专利]高强度低熔点合金及其制备方法无效
| 申请号： | 200910094010.5 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101476054A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 孙勇;段永华;竺培显 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学;昆明理工峰潮科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 | 代理人： | 赵 云 |
| 地址： | 650093云南省昆明市学府路25*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 高强度低熔点合金及其制备方法。本发明属于制造巴氏轴瓦合金及低熔点合金模用的一种复合材料及其制备技术。本发明是先将熔点较高的第二组元金属熔化，再加入低熔点金属，在搅拌下进行原位反应，使低熔点金属与第二组元金属生成以金属键与共价键的混合键结合的金属间化合物。采用本技术制备的合金材料其力学性能(抗拉强度和硬度)有强烈提升，具备真正意义上的超高强度的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 熔点 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高强度低熔点合金，其特征是：由熔点为230℃～330℃的低熔点金属与能与其进行原位反应的第二组元金属反应所生成的金属间化合物组成，金属间化合物的化学键为金属键与共价键的混合键结合。
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