[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910093381.1 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102023432A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;宋泳锡;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括栅线、公共电极线、栅绝缘层、数据线段、薄膜晶体管、像素电极、钝化层以及公共电极；薄膜晶体管包括源电极、漏电极及栅电极，栅电极与栅线电连接，漏电极通过第一连接线与像素电极连接，源电极与数据线段电连接；阵列基板还包括第二连接线，第二连接线用于电连接相邻的两个像素单元的数据线段，构成数据线；第一连接线和第二连接线与公共电极同层设置。本发明FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，仅通过三次构图工艺即可完成TFT-LCD阵列基板的制造，相比现有技术降低了成本，提高了市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | ffs tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FFS型TFT‑LCD阵列基板，包括多个像素单元，其特征在于：每个像素单元包括栅线、公共电极线、栅绝缘层、数据线段、薄膜晶体管、像素电极、钝化层以及公共电极；所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极及栅电极，所述栅电极与栅线电连接，所述漏电极通过第一连接线与像素电极连接，所述源电极与数据线段电连接；所述栅绝缘层用于将栅线和栅电极与数据线、源电极及漏电极绝缘；所述钝化层用于将栅线、数据线段、源电极、漏电极及像素电极与公共电极绝缘；所述阵列基板还包括第二连接线，第二连接线用于电连接相邻的两个像素单元的数据线段，构成数据线；所述第一连接线和第二连接线与公共电极同层设置。
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