[发明专利]一种具有室温铁磁性纳米ZnO材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910090922.5 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101645341A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 王军红;王栋樑;马衍伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00;B82B3/00;C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关 玲;贾玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有室温铁磁性ZnO材料的制备方法。该方法的工艺步骤为：利用普通化学或者物理方法制备好纳米ZnO前驱体、ZnO薄膜样品或者直接制备得到ZnO纳米材料(包括纳米颗粒，纳米棒，纳米线，纳米管，量子点等)，然后将样品置于具有空气或其他气体(如氧气)氛围的强磁场烧结炉中进行热处理，整个热处理过程施加磁场，自然冷却后即可得到具有室温铁磁性的纳米ZnO材料。经磁性能分析，证明本发明方法可以明显提高纳米ZnO材料的室温铁磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 室温 铁磁性 纳米 zno 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有室温铁磁性ZnO材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法方法的工艺步骤如下：(1)利用普通化学或者物理方法制备好纳米ZnO前驱体、ZnO薄膜样品或者直接制备得到ZnO纳米材料；(2)将所述步骤1制备的纳米ZnO前驱体、薄膜或者纳米ZnO材料放入装有超导磁体，并具有气体氛围的加热炉中处理；(3)热处理的温度为400～1000℃，保温0.2～10h，最后自然冷却到室温，在热处理过程中从开始到冷却至室温的整个过程施加0.2～35T的磁场。
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