[发明专利]基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用有效
| 申请号： | 200910089511.4 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101614668A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 师文生;王晓天;佘广为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 李 柏 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用。该硅纳米线传感器是联用一种表面具有增强拉曼散射效应且稳定性高的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑成的。所述的活性基底，是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳米粒子薄膜构成。所述的活性基底中进一步不含有SiO2和Ag2O，使得作为拉曼检测基底的活性基底的拉曼图谱非常干净，从而极大地减小了活性基底本身的杂峰对有机物目标分子检测的干扰。联用本发明的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑的硅纳米线传感器可以对未知浓度的有机物目标分子溶液作定量检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 表面 增强 散射 效应 纳米 传感器 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器，其是在用拉曼光谱仪对有机物目标分子作检测时，以活性基底作为拉曼检测基底；其特征是：该硅纳米线传感器是联用所述的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑成的；所述的活性基底是表面具有增强拉曼散射效应的活性基底，其是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳米粒子薄膜构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所，未经中国科学院理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910089511.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
