[发明专利]一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200910088528.8 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101597162A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘敏;索红莉;叶帅;赵跃;马麟;程艳玲;王榕;吕昭;周美玲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈 波 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gd 掺杂 ceo sub 过渡 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜，其特征在于，所述的过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。
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