[发明专利]圆环形闭合沟道有机薄膜晶体管

摘要

圆环形闭合沟道有机薄膜晶体管，涉及一种新型结构的场效应器件，用于LCD平板显示中的像素驱动。它的结构包括：在ITO导电玻璃(1)上，依次制作绝缘层(2)，有源层(3)，源漏电极(4)和漏电极(5)。其中位于源电极和漏电极之间的沟道呈闭合圆环形。绝缘层(2)的材料采用SiO₂或Si₃N₄；有源层(3)的材料采用并五苯或酞菁铜；源(4)、漏电极(5)的材料采用Al或者Au。绝缘层的厚度150～300nm，有源层的厚30～60nm。这种原型沟道器件比传统的直线沟道器件有更高的场效应迁移率，输出特性曲线更为陡峭，并且获得了更大的饱和输出电流，从而提高了器件的输出性能。

主权项

1.圆环形闭合沟道有机薄膜晶体管，它的结构是：在ITO导电玻璃(1)上，依次制作绝缘层(2)，有源层(3)，以及源电极(4)和漏电极(5)；源漏驱动电源和栅电源均采用直流电源。其特征在于：在蒸镀金属制备源电极(4)和漏电极(5)的时候，采用环行的掩膜，使得制备的沟道形状为闭合的圆环形结构，同时源、漏电极分别紧贴并位于圆环形沟道的外侧和内侧。