[发明专利]一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器无效

专利信息
申请号: 200910082665.0 申请日: 2009-04-23
公开(公告)号: CN101644611A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 李红浪;程利娜;何世堂 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01N29/02
代理公司: 北京法思腾知识产权代理有限公司 代理人: 杨小蓉
地址: 100190北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器,包括:压电基片、沉积在压电基片表面的输入叉指换能器和输出叉指换能器、以及覆盖在所述压电基片以及输入叉指换能器和输出叉指换能器上面的敏感膜。所述压电基片为兼具高机电耦合系数、高温度稳定性的晶体材料,该压电基片采用硅酸镓镧、钽酸镓镧、铌酸镓镧、磷酸镓、Sr3TaGa3Si2O14、Sr3NbGa3Si2O14、Ca3TaGa3Si2O14、Ca3NbGa3Si2O14以及Sr3Ga2Ge4O14和四硼酸锂。输入叉指换能器在压电基片中激发声波并传播,输出叉指换能器用于接收声波,当加载的被测物与敏感膜发生反应后会导致声波的特性发生变化,通过检测这些变化而得到关于被测物的特性结论。本发明从结构方面改善传感器性能,实现实用的低损耗、高温度稳定性的表面声波传感器。
搜索关键词: 一种 损耗 温度 稳定性 表面 声波 传感器
【主权项】:
1、一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器,包括:压电基片、沉积在压电基片表面的输入叉指换能器和输出叉指换能器、以及覆盖在所述压电基片以及输入叉指换能器和输出叉指换能器上面的敏感膜,其特征在于:所述压电基片为兼具高机电耦合系数、高温度稳定性的晶体材料。
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