[发明专利]一种微机电系统螺线管电感的制备方法无效
申请号: | 200910082439.2 | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN101599425A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 李修函;邵际南;舒光华 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/822;H01F37/00;H01F41/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100044北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种微机电系统螺线管电感的制备方法,利用MEMS工艺在下衬底上刻蚀出一个槽,然后进行涂胶光刻、电镀或化学镀在下衬底的槽内生长出金属线圈的一半,利用相同的方法在上衬底上的制作出金属线圈的另一半,最后将两半金属线圈对准倒装焊合并成完整的电感。制备出的螺线管电感由上衬底(8)和下衬底(1)、金属线圈(6)、电镀或化学镀用的种子层(4)、连接金属(7)组成,其中上衬底可在电感制作完成后去掉。本发明解决了微系统中螺线管电感制备困难的问题,制备方法简单成本低,并且可与CMOS电路集成,且电感具有较大的电感值和很高的Q值,大大提高了微电感的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 微机 系统 螺线管 电感 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微机电系统螺线管电感的制备方法,其特征在于,该制备方法的步骤包括:一、下半部分制作步骤:步骤1,在洁净的下衬底(1)上,制作阻挡层(2);步骤2,涂一层光刻胶(3),并进行光刻,形成缺口,露出阻挡层(2);步骤3,对阻挡层(2)进行刻蚀,刻去露出的阻挡层(2),使阻挡层形成缺口,之后去除光刻胶(3);步骤4,在下衬底(1)上刻蚀出一个槽;步骤5,去阻挡层(2);步骤6,采用溅射或蒸发的方法,制作用作电镀或化学镀的种子层(4);步骤7,涂光刻胶(5),并进行光刻,形成线圈模具;步骤8,电镀或化学镀用作线圈的金属(6);步骤9,电镀或化学镀连接金属(7);步骤10,去光刻胶及其下面的种子层(4);二、上半部分制作步骤:步骤1,在洁净的上衬底(8)上,制作阻挡层(9);步骤2,涂一层光刻胶(3),并进行光刻,形成缺口,露出阻挡层;步骤3,对阻挡层(9)进行刻蚀,刻去露出的阻挡层(9),使阻挡层形成缺口,之后去除光刻胶(3);步骤4,在上衬底(8)上刻蚀出一个槽;步骤5,去阻挡层(9);步骤6,采用溅射或蒸发的方法,制作用作电镀或化学镀的种子层(4);步骤7,涂光刻胶(5),并进行光刻,形成线圈模具;步骤8,电镀或化学镀用作线圈的金属(6);步骤9,电镀或化学镀连接金属(7);步骤10,去光刻胶(5)及其下面的种子层(4);三、将制作好的上下两半部分进行对准倒装焊,形成微机电系统螺线管电感。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造