[发明专利]生长氧化锌薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 200910079800.6 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101831693A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王振华;刘祥林;杨少延;杨安丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净反应室中的空气；充氮气将反应室升压至适合生长的压强；将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氧化锌 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括以下步骤：步骤1：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；步骤2：选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；步骤3：将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；步骤4：将反应室抽真空至10Torr以下，再向反应室中充氮气升压，再抽至10Torr以下，如此反复两次，以排净反应室中的空气；步骤5：充氮气将反应室升压至适合生长的压强；步骤6：将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；步骤7：打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；步骤8：在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；步骤9：在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；步骤10：关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。
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