[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910078642.2 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101819362A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 董敏 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，数据线上方形成有遮挡漏光区域的遮挡层。制造方法包括：形成包括栅线和栅电极的图形；形成包括数据线、漏电极、源电极和TFT沟道的图形；形成包括钝化层过孔的图形；沉积透明导电薄膜和遮光金属薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和遮挡层的图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，遮挡层位于数据线的上方。本发明通过在数据线上方形成遮挡层，当彩膜基板与阵列基板不能准确对位或受到外力冲击，遮挡层起到黑矩阵的遮光作用，可以完全阻挡正面漏光，有效阻挡侧面漏光。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线上方形成有遮挡漏光区域的遮挡层。
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