[发明专利]一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器有效
| 申请号： | 200910076048.X | 申请日： | 2009-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101770804A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈军养;刘东屏;温振超;韩秀峰;张曙丰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01F10/32;H01P7/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层；所述写位线与所述非磁性层相连，以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩，实现数据的写入。本发明还提供具有类似结构的基于Rashba效应的可编程磁逻辑器件和自旋微波振荡器。本发明实现了读写分离，可以有效保护器件在反复高电流密度读写时不易被损坏，可以有效降低写电流密度，增加器件的可操作性；本发明还采用了闭合状几何结构的设计方案，可进一步减小磁场对器件的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 逻辑 器件 自旋 微波 振荡器 | ||
【主权项】：
一种磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层；所述写位线与所述非磁性层相连，以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩，实现数据的写入。
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