[发明专利]一种在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法无效
申请号: | 200910072136.2 | 申请日: | 2009-05-27 |
公开(公告)号: | CN101560103A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 张幸红;韩文波;王智;洪长青;胡平;孙新 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/58;C04B35/565;C04B41/85 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 荣 玲 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法,它涉及了一种在陶瓷复合材料表面原位生成的高抗氧化性能膜的方法。本发明解决了现有硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能差、使用过程中质量损失大,无法将微弧氧化法应用到陶瓷表面的处理上。本发明在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法按如下步骤进行:一、混合,研磨;二、烧结;三、微弧氧化反应;即在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成了高抗氧化性能膜。本发明成功应用微弧氧化法在陶瓷材料表面制备了高抗氧化涂层,制备出涂层大大提高了硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能,降低了材料使用过程中的质量损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 硼化锆 碳化硅 陶瓷 复合材料 表面 原位 生成 氧化 性能 方法 | ||
【主权项】:
1、一种在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法,其特征在于在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法按如下步骤进行:一、将纯度均为98%以上的硼化锆粉末和碳化硅粉末按照体积比为75~85∶20的比例混合,然后通过行星式球磨机对硼化锆粉末和碳化硅粉末进行混合分散,以无水乙醇为分散介质、氧化锆磨球为研磨介质,球磨机混料时转速为180~250r/min,混合时间为8~12h,再将混合后的浆料在旋转蒸发器上蒸发烘干,再将干燥后的混合粉料用玛瑙研钵研磨至粉料粒度为30μm以下;二、烧结:将步骤一研磨后得到的混合粉料在真空或惰性气氛中进行热压烧结,烧结温度为1900℃,烧结压力为30MPa,保温时间为60分钟,冷却至室温后取出试样;三、微弧氧化反应:对试样表面进行抛光处理后采用功率为5kW、电流密度为10A/dm2、占空比为20的双脉冲电源,以不锈钢槽作为阴极、以试样作为阳极浸泡在10g/L的偏铝酸钠溶液中,通电1~10min,采用100~150r/min的磁力搅拌器搅拌,通电过程中采用流动的冷水浴控制反应溶液的温度不高于30℃;即在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成了高抗氧化性能膜。
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