[发明专利]一种新型的钙钛矿锰基氧化物薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910070260.5 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101685830A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈立华 | 申请（专利权）人： | 陈立华 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;C23C14/35;C23C14/06;H01L21/363 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350001福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的钙钛矿型锰基氧化物薄膜材料及其制备方法，特别是一种A位电子掺杂型的半导体钙钛矿锰基氧化物钕锆锰氧(Nd0.75Zr0.25MnO3)薄膜材料及其制备方法。该新型的钕锆锰氧(Nd0.75Zr0.25MnO3)薄膜材料可以使用射频磁控溅射的方法制备，利用该方法制备的Nd0.75Zr0.25MnO3薄膜具有很好的单相性，成分均一，且制备工艺简单，成本低廉，易于生产实现，因而在半导体器件领域具有巨大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 钙钛矿锰基 氧化物 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种A位电子掺杂型钙钛矿锰基氧化物钕锆锰氧薄膜材料，其化学结构通式为Nd0.75Zr0.25MnO3，该钕锆锰氧薄膜材料的的生长方式为外延生长。
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