[发明专利]一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法

摘要

一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及其制备方法。所述材料为磷或砷掺杂的N型宽带隙纳米硅薄膜。首先将待处理样品放入高真空沉积系统中，利用等离子体增强化学气相沉积方法，通过有效控制辉光功率和硅烷浓度等沉积参数制备出相应的材料。本发明通过辉光功率和硅烷浓度等参数的优化，达到有效控制材料的结构特征和光电性能，利用晶粒尺寸减小带来的纳米效应获得高电导率、宽带隙的N型纳米硅。本发明的有益效果是：将这种宽带隙纳米硅用作非晶硅电池的掺杂层，可以显著增强电池的内建电场，大大提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅太阳电池。

主权项

1、一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料，其特征在于：在依次具有衬底G、透明导电膜T，硼掺杂纳米硅窗口层P和本征硅基薄膜I的待处理样品的本征硅薄膜I层上有沉积层，厚度在10～50nm，晶粒尺寸5～50nm，晶化率5～50％，暗电导率0.001～5S/cm，激活能0.01～0.5eV，带隙宽度1.8～2.5eV。