[发明专利]A112Mg17为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法有效
| 申请号: | 200910066854.9 | 申请日: | 2009-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN101538660A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
| 发明(设计)人: | 王立民;王小林;贾音;王立东;李云辉;吴耀明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02 |
| 代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 马守忠 |
| 地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了Al12Mg17为镁源制备低残单RE-Mg-Ni系储氢合金的方法。使用Al12Mg17强化相为镁源,代替常用的镁源;实际上的稳定性、高温动态稳定性以及匹配性等都优越于现有技术中的镁源,目标合金符合“金属镁低残留”要求;铸态合金La0.72Mg0.28Ni2.2Al0.2、La0.77Mg0.23Ni2.3Al0.2、La0.82Mg0.18Ni2.45Al0.13、La0.66Mg0.34Ni2.38Co0.46Mn0.26Al0.44的室温最大放电比容量分别为298mAh/g、292mAh/g、289mAh/g和309mAh/g;达到了发明之目的。 | ||
| 搜索关键词: | a1 sub 12 mg 17 制备 低残单 re ni 系储氢 合金 方法 | ||
【主权项】:
1、Al12Mg17为镁源制备低残单RE-Mg-Ni系储氢合金的低残单方法,其特征在于,I、所用三种炉料的分别为:(1)、金属间化合物Al12Mg17中的杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于0.05wt.%;(2)、金属间化合物LaNi3中的杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于0.05wt.%;(3)、AB5型储氢合金制品MmNi3.6Co0.7Mn0.4Al0.3中的杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于0.5wt.%;其中的Mm为混合轻稀土,该混合轻稀土Mm中各种单一稀土元素所占有的重量百分比分别为:Ce=52.9wt.%、La=24.59wt.%、Nd=16.91wt.%和Pr=5.52wt.%,各种单一稀土元素重量百分比总和构成100wt.%;(4)、选用Al12Mg17和LaNi3两种炉料合成目标合金,其选用比例、目标合金组成和杂质含量分别为:①采用95wt.%的LaNi3与5wt.%的Al12Mg17;目标合金的组成为La0.72Mg0.28Ni2.2Al0.2;该目标合金中杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于0.05wt.%;②采用96wt.%LaNi3与4wt.%Al12Mg17;目标合金的组成为La0.77Mg0.23Ni2.3Al0.2;该目标合金中杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于0.05wt.%;③采用97wt.%LaNi3与3wt.%Al12Mg17;目标合金的组成为La0.82Mg0.18Ni2.45Al0.13;目标合金中杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于0.05wt.%;(5)、选用MmNi3.6Co0.7Mn0.4Al0.3与Al12Mg17两种炉料合成目标合金,其选用比例、目标合金组成和杂质含量分别为:采用95wt.%的MmNi3.6Co0.7Mn0.4Al0.3与5wt.%的Al12Mg17目标合金组成为La0.66Mg0.34Ni2.38Co0.46Mn0.26Al0.44;目标合金中杂质元素Fe、Cu、Cu和Si的总量小于0.5wt.%。II、Al12Mg17为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金:(1)Al12Mg17金属间化合物的制备采用电阻炉制备,原料Al锭和Mg锭的纯度均为99.99wt.%;原料经分割、除油、干燥和去除氧化皮得到Al和Mg的块料;以刚玉坩埚为内衬的合成器中装入占有刚玉坩埚体积1/3的分析纯KCl后,将该合成器安放到电阻炉中,电阻炉升温到800℃、该KCl熔化后向其中投入原料Al和Mg的块料,该Al和Mg的块料投入相对数量按照Al12Mg17金属间化合物分子式所要求的重量百分组成投入;该Al和Mg的块料完全融化后用光谱纯石墨棒搅拌20秒;将电阻炉温度降低到650℃并在650℃对液态Al12Mg17静置2小时再出炉浇铸,液态Al12Mg17浇铸到冷模中冷却到室温,得到铸态的Al12Mg17金属间化合物;(2)、作为炉料之一的LaNi3金属间化合物的制备采用非自耗真空电弧阻炉,原料La锭和Ni棒的纯度均为均为99.98wt.%;原料经分割、去蜡、除油、干燥和去除氧化皮得到La和Ni的块料;将该La和Ni的块料摆放到非自耗真空电弧阻炉的合成池中,该La和Ni的块料投入相对数量按照LaNi3金属间化合物分子式所要求的重量百分组成投入;对非自耗真空电弧阻炉腔抽真空至10-3Pa后充入氩气作为保护气体,对该合成池中摆放的La和Ni的块电弧熔炼3次,每次熔炼2分钟,每熔炼一次,用非自耗真空电弧阻炉中的机械手对合成池中的合成物纵向翻转180度,非自耗真空电弧阻炉温度降低到室温出炉,得到铸态的LaNi3金属间化合物;(3)、MmNi3.6Co0.7Mn0.4Al0.3合金是从市场购买的AB5型储氢合金商品;(4)、作为RE-Mg-Ni系储氢合金中的目标合金La0.72Mg0.28Ni2.2Al0.2、La0.77Mg0.23Ni2.3Al0.2、La0.82Mg0.18Ni2.45Al0.13或La0.66Mg0.34Ni2.38Co0.46Mn0.26Al0.44的制备采用高频感应炉,该高频感应炉的合金熔炼器的内衬为石墨材质;将Al12Mg17、LaNi3及MmNi3.6Co0.7Mn0.4Al0.3炉料粉碎成平均粒径1-2mm的颗粒;炉料的组合及配比分别为:95wt.%的LaNi3与5wt.%的Al12Mg1、96wt.%的LaNi3与4wt.%的Al12Mg17、97wt.%的LaNi3与3wt.%的Al12Mg17或95wt.%的MmNi3.6Co0.7Mn0.4Al0.3与5wt.%的Al12Mg17;按照炉料的组合及配比分别称量炉料,分别混合均匀,分别装入高频感应炉合金熔炼器内;混均的金属性炉料上表面分别摆放1块20克KCl盐块用于温度指示剂;对高频感应炉合金熔炼器所在的炉腔抽真空至10-2Pa后充入氩气作为保护气体;高频感应炉升温,观察到KCl盐块开始融化立即逐渐减小输出功率至零,间隔5分钟再次升温;重复该“升温-减小输出功率至零-间隔5分钟”的周期性操作共3次;最后一次为:重新升温至合金熔炼器内金属性炉料全部融化后,维持高频感应炉的该反应温度30秒,逐渐减小输出功率至零降低金熔炼器温度到室温出炉,最后分别得到铸态的目标合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所,未经中国科学院长春应用化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910066854.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钧瓷气窑烧成自控设备
- 下一篇:一种波纹片压制模具及波纹片生产系统
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法





