[发明专利]一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 200910066822.9 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101643893A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 么艳平;乔忠良;薄报学;高欣;陈甫;魏永平;李梅;王玉霞;芦鹏;李辉;曲轶;刘国军;李占国 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 大面积的非晶态GaAs薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了，并且非晶态GaAs薄膜具有半导体特性，但是非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍非晶GaAs材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供一种化学计量比非晶GaAs薄膜的溅射制备方法，在保证非晶GaAs薄膜的完全无序结构前提下，防止组分偏析，提高非晶GaAs薄膜的光电性能和表面形貌，这为研制短波红外探测器、太阳能电池以及其他非晶态光电子器件奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 化学 计量 gaas 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法，包括中温溅射制备和制备后热退火工艺。
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