[发明专利]纳米碳化硅作锂离子电池负极材料有效

专利信息
申请号: 200910063403.X 申请日: 2009-08-03
公开(公告)号: CN101989655B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 张洪涛;张少波;张泽森 申请(专利权)人: 张洪涛;张少波;张泽森
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430068 湖北省武汉市南湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 纳米碳化硅是指晶体尺度处于0.5‑300nm范围的晶体,可以是各种形状,如,球形、线状或片状或不规则状。由于纳米碳化硅比表面积大,裸漏原子多,可以嵌入锂离子;纳米碳化硅之间的空隙也可以嵌入锂离子。纳米碳化硅,可以是晶态或者非晶态的,晶格结构可以是立方的或者是六角堆垛的,都可以作为锂离子电池的负极材料。纳米线碳化硅首次容量经过初步测试达到876.3mAh/g。具有的容量和良好的循环性能。纳米碳化硅无论是分散的单晶体还是阵列都可以嵌入锂离子。实验证明,各种方法生产的纳米碳化硅都具有嵌锂离子特性。把纳米碳化硅加入其它负极材料可以改善负极材料的性能。纳米碳化硅加入其它微量或少量金属元素可以改善嵌入锂离子特性。
搜索关键词: 纳米 碳化硅 锂离子电池 负极 材料
【主权项】:
1.一种锂离子电池,所述锂离子电池包括正极、负极,其特征在于:所述负极为纳米线碳化硅负极,所述纳米线碳化硅负极材料在充分时间保障条件下测试容量大于900mAh/g,所述纳米线碳化硅是晶态的,所述纳米线碳化硅直径在0.5‑300nm之间,所述纳米线碳化硅的结晶结构为立方晶格或六角晶格。
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