[发明专利]对可见光响应的含钼半导体光催化材料及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200910062008.X | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101559371A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 夏文兵;戴璐;黄坤;黄进;冯良东 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | B01J23/881 | 分类号： | B01J23/881;B01J23/78;B01J37/04;B01J37/08;A61L9/18;C01B3/04;C01B13/02;C02F1/30;H01L31/04;A61L101/28;A61L101/02;C02F101/30 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及对可见光响应的含钼半导体光催化材料，其分子式为M2M1FeMoO6，式中M1＝Li、Na、K、Rb或Cs；M2＝Be、Mg、Ca、Sr或Ba。其制备方法包括如下步骤：按含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物、含Mo的化合物中的M1、Fe、M2、Mo的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例放入研钵中研磨混合均匀，经过预烧处理后升温到800～1200℃恒温1～160小时，即可得到对可见光响应的含钼半导体光催化材料。本发明材料能带带隙很低，在可见光照射下有很好的吸收，可用于对太阳光进行全光谱吸收；或用于在可见光照射下除空气中的有害物质和杀菌；或用于作为光电转换材料；或用于光催化分解水制氢气和氧气；或用于降解去除污水中对人有害的有机物质。本发明合成成本低廉、方法简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 可见光 响应 半导体 光催化 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.对可见光响应的含钼半导体光催化材料，其分子式为M2M1FeMoO6，式中M1＝Li、Na、K、Rb或Cs；M2＝Be、Mg、Ca、Sr或Ba。
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