[发明专利]一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910058021.8 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101462881A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨烨;赵勇;张勇;程翠华 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;H01B12/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法，其作法是：按摩尔比1∶0.7-2.5分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01-1称量掺杂物，掺杂物为山梨酸或山梨酸盐中的一种；将镁粉、硼粉和掺杂物的粉末均匀混合成混合粉末；然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为600℃-1200℃、保温时间0.5-12个小时，即得。该方法制备时间短，反应温度低，效率高，成本低，尤其适合于工业化生产；利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 二硼化镁 超导 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法，其作法是：按摩尔比1∶0. 7-2.5分别称量镁粉、硼粉；再按镁粉、硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01-1称量掺杂物，掺杂物为山梨酸或山梨酸盐中的一种；将镁粉、硼粉和掺杂物的粉末均匀混合后，在氩气气氛保护下进行烧结，烧结温度600℃-1200℃、保温时间0.5-12个小时，即得。
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