[发明专利]减小自对准LDMOS中寄生管效应的方法无效
| 申请号： | 200910057521.X | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101937849A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 戚丽娜;张帅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种减小自对准LDMOS中寄生管效应的方法；包括以下步骤：步骤一、进行多晶硅淀积，刻出注入区域的多晶硅；步骤二、先进行第一次注入，其注入方向与垂直于硅片平面的方向形成一大于零度的夹角，用于形成横向扩散金属氧化物半导体的导电沟道；步骤三、再对基区进行一次零角度注入，所述零角度注入的离子和所述第一次注入的离子同型，所述的零角度注入是在垂直于硅片平面的方向进行注入。本发明优化自对准横向扩散金属氧化物半导体SAC LDMOS管的性能，在原有一次大角度注入的基础上增加一次零角度注入，即可减小寄生管放大倍数值，降低寄生管基区电阻，减小寄生管效应。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 对准 ldmos 寄生 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种减小自对准LDMOS效应的方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、进行多晶硅淀积，刻出注入区域的多晶硅；步骤二、先进行第一次注入，其注入方向与垂直于硅片平面的方向形成一大于零度的夹角，用于形成横向扩散金属氧化物半导体的导电沟道；步骤三、再对基区进行一次零角度注入，所述零角度注入的离子和所述第一次注入的离子同型，所述的零角度注入是在垂直于硅片平面的方向进行注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910057521.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：射频拉远单元
- 下一篇：一种回旋管输出窗窗片的封接结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
