[发明专利]LDMOS制造方法有效
| 申请号： | 200910057474.9 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101930926A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王海军;张帅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS制造方法，在BCD工艺流程中，形成LDMOS的漏端，然后对漏端进行两次以上离子注入，离子注入方向同晶圆轴线的角度由大到小，注入离子能量由高到低，注入离子剂量由低到高。采用本方法制造的LDMOS器件，有高工作电压并且击穿电压稳定，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在BCD工艺流程中，形成LDMOS的漏端；二.对漏端进行两次以上离子注入，离子注入方向同晶圆轴线的角度由大到小，注入离子能量由高到低，注入离子剂量由低到高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
